BSC042N03S G
MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSON
BSC042N03S G Specifications
نوع التركيب:
Surface Mount
نوع فيت:
N-Channel
تكنولوجيا:
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق):
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى):
±20V
درجة حرارة التشغيل:
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss):
30 V
الحزمة / القضية:
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد:
PG-TDSON-8-5
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
28 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs:
4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف:
2V @ 50µA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds:
3660 pF @ 15 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى):
2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية:
20A (Ta), 95A (Tc)