BSP125 E6327
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
BSP125 E6327 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-261-4, TO-261AA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
600 V
حزمة جهاز المورد：
PG-SOT223-4
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.8W (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
120mA (Ta)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2.3V @ 94µA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
150 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
45Ohm @ 120mA, 10V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
6.6 nC @ 10 V
