BSP149 E6906
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSP149 E6906 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-261-4, TO-261AA
حزمة جهاز المورد：
PG-SOT223-4
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
200 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.8W (Ta)
ميزة FET：
Depletion Mode
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
430 pF @ 25 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
0V, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1.8Ohm @ 660mA, 10V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
14 nC @ 5 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
1V @ 400µA
