BSP300L6327HUSA1
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
BSP300L6327HUSA1 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-261-4, TO-261AA
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 1mA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
800 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.8W (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
190mA (Ta)
حزمة جهاز المورد：
PG-SOT223-4-21
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
230 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
20Ohm @ 190mA, 10V
