BSP613PL6327HUSA1
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
BSP613PL6327HUSA1 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
الحزمة / القضية：
TO-261-4, TO-261AA
حزمة جهاز المورد：
PG-SOT223-4
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
33 nC @ 10 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.8W (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
130mOhm @ 2.9A, 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
875 pF @ 25 V
