BSP615S2L
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223-4
BSP615S2L Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-261-4, TO-261AA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
55 V
حزمة جهاز المورد：
PG-SOT223-4
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.8W (Ta)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
2.8A (Ta)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
330 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
90mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 12µA
