IPD10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPD10N03LA Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
30A (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
11 nC @ 5 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
52W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO252-3-11
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 20µA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1358 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
10.4mOhm @ 30A, 10V
