IPI60R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
IPI60R299CPXKSA1 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
600 V
الحزمة / القضية：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
11A (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
حزمة جهاز المورد：
PG-TO262-3
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3.5V @ 440µA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1100 pF @ 100 V
