IPP05CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
IPP05CN10NGXKSA1 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
100A (Tc)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
الحزمة / القضية：
TO-220-3
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 250µA
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
300W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO220-3
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
181 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
12000 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
5.4mOhm @ 100A, 10V
