IPP091N06N G
MOSFET N-CHAN TO-220
IPP091N06N G Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
الحزمة / القضية：
TO-220-3
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
80A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO220-3
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
81 nC @ 10 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 130µA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
2800 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
9.1mOhm @ 80A, 10V
