IPP80N06S3-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IPP80N06S3-05 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
الحزمة / القضية：
TO-220-3
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
80A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO220-3-1
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
240 nC @ 10 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 110µA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
10760 pF @ 25 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
5.4mOhm @ 63A, 10V
