IPW60R045CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
IPW60R045CPFKSA1 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
650 V
الحزمة / القضية：
TO-247-3
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
60A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO247-3-1
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
190 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3.5V @ 3mA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
6800 pF @ 100 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
431W (Tc)
