SPD04N80C3BTMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
SPD04N80C3BTMA1 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
4A (Tc)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
800 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
63W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO252-3-11
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
570 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3.9V @ 240µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
26 nC @ 10 V
