SPD50N03S2-07
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
SPD50N03S2-07 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
50A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO252-3-11
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
136W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 85µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
46.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
7.3mOhm @ 50A, 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
2170 pF @ 25 V
