SPD50P03LGBTMA1
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
SPD50P03LGBTMA1 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
150W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
50A (Tc)
الحزمة / القضية：
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
126 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
7mOhm @ 50A, 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
6880 pF @ 25 V
حزمة جهاز المورد：
PG-TO252-5
