SPI12N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
SPI12N50C3XKSA1 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1200 pF @ 25 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
125W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO262-3-1
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
560 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
380mOhm @ 7A, 10V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
49 nC @ 10 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3.9V @ 500µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
11.6A (Tc)
