SPI20N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
SPI20N60C3XKSA1 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
650 V
الحزمة / القضية：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
2400 pF @ 25 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
208W (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
114 nC @ 10 V
حزمة جهاز المورد：
PG-TO262-3-1
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3.9V @ 1mA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
190mOhm @ 13.1A, 10V
