SPI42N03S2L-13
MOSFET N-CH 30V 42A TO262-3
SPI42N03S2L-13 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
الحزمة / القضية：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
83W (Tc)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
42A (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
30.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
12.9mOhm @ 21A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 37µA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1130 pF @ 25 V
حزمة جهاز المورد：
PG-TO262-3-1
