SPI80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
SPI80N10L Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
80A (Tc)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
4540 pF @ 25 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
250W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO262-3-1
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
240 nC @ 10 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 2mA
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
14mOhm @ 58A, 10V
