SPN03N60S5
MOSFET N-CH 600V 700MA SOT223-4
SPN03N60S5 Specifications
نوع التركيب:
Surface Mount
نوع فيت:
N-Channel
تكنولوجيا:
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى):
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق):
10V
درجة حرارة التشغيل:
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية:
TO-261-4, TO-261AA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss):
600 V
حزمة جهاز المورد:
PG-SOT223-4
تبديد الطاقة (الحد الأقصى):
1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs:
1.4Ohm @ 2A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية:
700mA (Ta)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds:
440 pF @ 25 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف:
5.5V @ 135µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
12.8 nC @ 10 V