SPP02N60S5HKSA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
SPP02N60S5HKSA1 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-220-3
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
1.8A (Tc)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
600 V
حزمة جهاز المورد：
PG-TO220-3-1
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
3Ohm @ 1.1A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
25W (Tc)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
240 pF @ 25 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
9.5 nC @ 10 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
5.5V @ 80µA
