SPP11N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
SPP11N65C3XKSA1 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-220-3
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
650 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1200 pF @ 25 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
125W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO220-3-1
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
11A (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
60 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3.9V @ 500µA
