SPP80N04S2L-03
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
SPP80N04S2L-03 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
40 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
الحزمة / القضية：
TO-220-3
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 250µA
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
300W (Tc)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
80A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO220-3-1
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
213 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
3.4mOhm @ 80A, 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
7930 pF @ 25 V
