SPU03N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
SPU03N60S5BKMA1 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
600 V
الحزمة / القضية：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
16 nC @ 10 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1.4Ohm @ 2A, 10V
حزمة جهاز المورد：
PG-TO251-3-21
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
420 pF @ 25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
3.2A (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
5.5V @ 135µA
