SPU30P06P
MOSFET P-CH 60V 30A TO251-3
SPU30P06P Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
الحزمة / القضية：
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
125W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PG-TO251-3
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
30A (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
75mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 1.7mA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1535 pF @ 25 V
