HAT2174H-EL-E
MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
HAT2174H-EL-E Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة حرارة التشغيل：
150°C (TJ)
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
8V, 10V
الحزمة / القضية：
SC-100, SOT-669
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
20A (Ta)
حزمة جهاز المورد：
LFPAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
20W (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
33.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
27mOhm @ 10A, 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
2280 pF @ 10 V
