BS170G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
BS170G Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
350mW (Ta)
الحزمة / القضية：
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد：
TO-92 (TO-226)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
500mA (Ta)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
60 pF @ 10 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
5Ohm @ 200mA, 10V
