NTB13N10
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
NTB13N10 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 250µA
الحزمة / القضية：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد：
D2PAK
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
20 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
13A (Ta)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
550 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
165mOhm @ 6.5A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
64.7W (Ta)
