NTB30N06T4G
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
NTB30N06T4G Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 250µA
الحزمة / القضية：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد：
D2PAK
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1200 pF @ 25 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
46 nC @ 10 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
88.2W (Tc)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
42mOhm @ 15A, 10V
