NTD23N03R
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK
NTD23N03R Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد：
DPAK
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
25 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4V, 5V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
45mOhm @ 6A, 10V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
3.76 nC @ 4.5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
225 pF @ 20 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
