NTD4810NT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
NTD4810NT4G Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2.5V @ 250µA
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد：
DPAK
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
11 nC @ 4.5 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
10mOhm @ 30A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
9A (Ta), 54A (Tc)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1350 pF @ 12 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.4W (Ta), 50W (Tc)
