NTD4815N-1G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
NTD4815N-1G Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2.5V @ 250µA
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
الحزمة / القضية：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
حزمة جهاز المورد：
IPAK
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
15mOhm @ 30A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
6.9A (Ta), 35A (Tc)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
6.6 nC @ 4.5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
770 pF @ 12 V
