NTD65N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
NTD65N03RT4G Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد：
DPAK
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
8.4mOhm @ 30A, 10V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
16 nC @ 5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1400 pF @ 20 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.3W (Ta), 50W (Tc)
