NTD6600N
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
NTD6600N Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد：
DPAK
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 250µA
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
5V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
20 nC @ 5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
700 pF @ 25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
146mOhm @ 6A, 5V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
