NTD78N03T4G
MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
NTD78N03T4G Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد：
DPAK
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
25 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
35 nC @ 4.5 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
6mOhm @ 78A, 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
2250 pF @ 12 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.4W (Ta), 64W (Tc)
