NTD85N02R-1G
MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK
NTD85N02R-1G Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2V @ 250µA
الحزمة / القضية：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
حزمة جهاز المورد：
IPAK
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
17.7 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
5.2mOhm @ 20A, 10V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
24 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
12A (Ta), 85A (Tc)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
2050 pF @ 20 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
