NTHD3101FT3G
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
NTHD3101FT3G Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±8V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.8V, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
1.5V @ 250µA
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.1W (Ta)
ميزة FET：
Schottky Diode (Isolated)
حزمة جهاز المورد：
ChipFET™
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
680 pF @ 10 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
7.4 nC @ 4.5 V
الحزمة / القضية：
8-SMD, Flat Leads
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
80mOhm @ 3.2A, 4.5V
