NTHD3102CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
NTHD3102CT1G Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
8-SMD, Flat Lead
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
إعدادات：
N and P-Channel
ميزة FET：
Logic Level Gate
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
1.2V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20V
أقصى القوة：
1.1W
حزمة جهاز المورد：
ChipFET™
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
45mOhm @ 4.4A, 4.5V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
4A, 3.1A
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
7.9nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
510pF @ 10V
