NTHD4P02FT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
NTHD4P02FT1G Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
8-SMD, Flat Lead
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
2.5V, 4.5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±12V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
1.2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
6 nC @ 4.5 V
ميزة FET：
Schottky Diode (Isolated)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
300 pF @ 10 V
حزمة جهاز المورد：
ChipFET™
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.1W (Tj)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
155mOhm @ 2.2A, 4.5V
