NTLJD4116NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
NTLJD4116NT1G Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
6-WDFN Exposed Pad
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
ميزة FET：
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
إعدادات：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
1V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
2.5A
أقصى القوة：
710mW
حزمة جهاز المورد：
6-WDFN (2x2)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
70mOhm @ 2A, 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
427pF @ 15V
