NTMS4107NR2G
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
NTMS4107NR2G Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
حزمة جهاز المورد：
8-SOIC
الحزمة / القضية：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2.5V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
11A (Ta)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
45 nC @ 4.5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
6000 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
4.5mOhm @ 15A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
930mW (Ta)
