NTMS5P02R2SG
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
NTMS5P02R2SG Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
حزمة جهاز المورد：
8-SOIC
الحزمة / القضية：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
2.5V, 4.5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
1.25V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
35 nC @ 4.5 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1900 pF @ 16 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
790mW (Ta)
