NTMSD3P102R2SG
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
NTMSD3P102R2SG Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
حزمة جهاز المورد：
8-SOIC
الحزمة / القضية：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
2.5V @ 250µA
نوع فيت：
P-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
25 nC @ 10 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
730mW (Ta)
ميزة FET：
Schottky Diode (Isolated)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
750 pF @ 16 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
2.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
85mOhm @ 3.05A, 10V
