APL1001J
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP
APL1001J Specifications
نوع التركيب：
Chassis Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±30V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
1000 V
الحزمة / القضية：
SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 2.5mA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
18A (Tc)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
520W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
ISOTOP®
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
7200 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
600mOhm @ 500mA, 10V
