APT19M120J
MOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOP
APT19M120J Specifications
نوع التركيب：
Chassis Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±30V
الحزمة / القضية：
SOT-227-4, miniBLOC
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
300 nC @ 10 V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
1200 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
5V @ 2.5mA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
19A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
530mOhm @ 14A, 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
9670 pF @ 25 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
545W (Tc)
