FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
FDZ193P Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
3A (Ta)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
1.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
1.9W (Ta)
حزمة جهاز المورد：
6-WLCSP (1x1.5)
الحزمة / القضية：
6-UFBGA, WLCSP
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
660 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
90mOhm @ 1A, 4.5V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.7V, 4.5V
