FQB9N50CFTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQB9N50CFTM Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±30V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
TO-263 (D2PAK)
الحزمة / القضية：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
9A (Tc)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
500 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
35 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
1030 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
850mOhm @ 4.5A, 10V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
173W (Tc)
