IRF6643TRPBF
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
IRF6643TRPBF Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
150 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
2.8W (Ta), 89W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
DIRECTFET™ MZ
الحزمة / القضية：
DirectFET™ Isometric MZ
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
55 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
2340 pF @ 25 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4.9V @ 150µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
