IXTA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
IXTA130N10T Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±30V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
4.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
130A (Tc)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
360W (Tc)
حزمة جهاز المورد：
TO-263AA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
5080 pF @ 25 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
104 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
9.1mOhm @ 25A, 10V
