MRF19030LR5
RF MOSFET LDMOS 26V NI400
MRF19030LR5 Specifications
نوع التركيب：
Chassis Mount
الجهد - تصنيف：
65 V
تكنولوجيا：
LDMOS
مخرج قوي：
30W
يكسب：
13dB
الجهد - الاختبار：
26 V
الاختبار الحالي：
300 mA
الحزمة / القضية：
NI-400
تكرار：
1.96GHz
حزمة جهاز المورد：
NI-400
